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晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
不銹鋼在酸性介質中存在嚴重的晶間腐蝕。特別是在H2SO4或HNO3中加入Cu2 +、Hg2 +、Cr6 +等氧化離子可以增加陰極過程的電流密度。晶間陽極的溶解速度明顯加快。
在日本,最大的不銹鋼,輸出的輸出18-8cr鎳不銹鋼含鈦在美國僅占1 ~ 2%的鉻鎳不銹鋼的輸出,而中國仍占90%以上的鉻鎳不銹鋼的輸出。這不僅反映了我國不銹鋼生產和使用的不合理，也反映了我國不銹鋼生產和使用中鋼結構的落后狀況。
晶間腐蝕的特點是當金屬表面沒有損傷時，晶粒間的結合力和金屬的脆響已經喪失。在嚴重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會碎成粉末。
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