推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強度低于Ti和Nb穩定不銹鋼。當強度不足時，可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強度高，而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點蝕性能。

晶間腐蝕的控制方法如下:1。減少或消除有害雜質。如降低碳、氮、硫等雜質的含量。加入穩定元素或晶界吸附元素。如在不銹鋼中加入Ti, Nb或B。適當的熱處理工藝。3.必須避免在敏化區加熱不銹鋼。焊件應在焊后進行固溶處理或快速冷卻，以避免停留在敏化溫度和時間。4. 采用雙相鋼。奧氏體鋼中含有10 ~ 20%鐵素體的鋼稱為雙相鋼。由于鐵素體在鋼中主要沿晶界形成，鉻含量高，在敏化溫度范圍內不會產生嚴重的稀釋。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。

將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區形成鉻貧區。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區成為陽極區，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態成為陰極區。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區域的腐蝕。