不銹鋼點(diǎn)腐蝕檢測實(shí)驗(yàn)方法有哪些，腐蝕科學(xué)在國民經(jīng)濟(jì)中占有重要的地位，這是因?yàn)榻饘俑g直接關(guān)系到人民的生命財(cái)產(chǎn)安全，關(guān)系到工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和國防建設(shè)。今天就為大家詳細(xì)講解下
應(yīng)力腐蝕檢測相關(guān)內(nèi)容。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。
P. Si、B等雜質(zhì)元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學(xué)濃度差而引起的簡單電化學(xué)腐蝕過程，或者是偏析導(dǎo)致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進(jìn)一步探討。
由于鉻在鐵素體中的遷移速度遠(yuǎn)快于奧氏體不銹鋼，即使在高溫下迅速冷卻，也會(huì)析出碳化物，造成鉻貧區(qū)和晶間腐蝕。而在700 ~ 800℃退火時(shí)，亞穩(wěn)相cr23c3轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定相Cr23C6，使鉻分布趨于均勻，消除了晶間腐蝕的傾向。
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