晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

晶間腐蝕的特點是當金屬表面沒有損傷時，晶粒間的結合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會碎成粉末。

在含Cr6 +的硝酸介質(zhì)中，選擇cr14ni14和1cr18ni11ti高純Cr Ni不銹鋼，研究了C、P、Si和B對非敏化晶間腐蝕的影響;0.1%， P & gt= 0.01%，有顯著危害;當Si含量接近Cr - Ni不銹鋼的正常含量(~ 0.8%)時，非敏化晶間腐蝕敏感性最大，且Si含量高于或低于該含量時晶間腐蝕敏感性降低;B量& gt= 0.0008%，對非敏化晶間腐蝕有害。對低Si、低P高純Cr - Ni奧氏體鋼的進一步研究表明，這些不銹鋼在非敏化狀態(tài)下不存在晶間腐蝕傾向。透射電鏡和俄耳杰光譜儀的晶界分析結果證實，晶界上P、Si和B等元素的偏析和優(yōu)先溶解是造成非敏化晶界腐蝕的主要原因。

晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強氧化介質(zhì)中也會發(fā)生晶間腐蝕。這時，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明，當p雜質(zhì)達到100ppm或Si雜質(zhì)達到1000 ~ 2000ppm時，它們會在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質(zhì)在強氧化劑介質(zhì)的作用下會溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會出現(xiàn)晶間腐蝕，因為碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的擴散，降低了雜質(zhì)在晶界的偏析，消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。