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,建議含Ti和Nb的Cr Ni奧氏體不銹鋼只能在低碳和超低碳不銹鋼不能被替代的情況下使用，如用作耐熱鋼和在聚硫酸中使用。
晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。
鉻鎳奧氏體不銹鋼的非敏化晶間腐蝕直到1949年才被發現。雖然已經進行了一些研究工作，但到目前為止，還沒有從理論到實踐得到滿意的解釋和解決。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
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