在常用的Cr - Ni奧氏體不銹鋼中，這種碳化物一般為Cr23C6 [M23C6]。由于該碳化物中Cr含量較高，碳化鉻沿晶界析出，導(dǎo)致碳化物周圍鋼基體中Cr濃度降低，形成所謂的“貧鉻區(qū)”。當(dāng)碳化鉻沿晶界析出成網(wǎng)狀時(shí)，貧鉻區(qū)也在網(wǎng)狀中。不銹鋼的耐腐蝕性是由于鋼中含有足夠的鉻，在介質(zhì)的作用下使鋼在這種介質(zhì)中鈍化。鉻貧區(qū)鉻量不足，使鈍化能力降低甚至消失，而奧氏體晶粒本身仍有足夠的鈍化(耐腐蝕)能力。因此，在腐蝕介質(zhì)的作用下，晶界附近連接成網(wǎng)狀的鉻貧區(qū)會優(yōu)先溶解，產(chǎn)生晶間腐蝕。

為解決二氧化碳汽提法尿素生產(chǎn)的四種高壓設(shè)備，即尿素合成塔、高壓冷凝器、高壓洗滌塔和二氧化碳汽提塔所用Cr - Ni奧氏體不銹鋼的非敏化晶間腐蝕問題，尿素牌號00Cr17Ni14Mo2和00cr25ni22mo2n仍需選擇具有大量成熟使用經(jīng)驗(yàn)的。但鋼中碳、磷、硅的含量應(yīng)盡量控制，特別是磷的含量應(yīng)盡量低。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此，晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。

根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。