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鈦和鈮:抗晶間腐蝕是有益的,因為他們的親和力與C CR的大于C .為了防止鉻碳化物的形成,首先不銹鋼加熱到1100℃將所有碳化物溶解成奧氏體,然后冷卻到900℃幾個小時完全反應Ti或與碳Nb。在后期碳化鉻析出溫度范圍內，加熱不會形成碳化鉻。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
鉻鎳奧氏體不銹鋼的非敏化晶間腐蝕直到1949年才被發現。雖然已經進行了一些研究工作，但到目前為止，還沒有從理論到實踐得到滿意的解釋和解決。
將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區形成鉻貧區。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區成為陽極區，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態成為陰極區。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區域的腐蝕。
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