晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。

σ相晶間沉淀理論:對于低碳高鉻高鉬不銹鋼，不存在鉻不良條件，但在650 ~ 850℃熱處理時，會形成42 ~ 48%的鉻σ相FeCr金屬間化合物。在過鈍化電位下，相腐蝕嚴重。陽極溶解電流急劇上升。σ可能是相本身的選擇性溶解。σ相FeCr金屬間化合物只能溶解在強氧化介質中。因此，必須用65%的強氧化沸騰硝酸檢測這類腐蝕，使不銹鋼的腐蝕電位達到過鈍化區。

在常用的Cr - Ni奧氏體不銹鋼中，這種碳化物一般為Cr23C6 [M23C6]。由于該碳化物中Cr含量較高，碳化鉻沿晶界析出，導致碳化物周圍鋼基體中Cr濃度降低，形成所謂的“貧鉻區”。當碳化鉻沿晶界析出成網狀時，貧鉻區也在網狀中。不銹鋼的耐腐蝕性是由于鋼中含有足夠的鉻，在介質的作用下使鋼在這種介質中鈍化。鉻貧區鉻量不足，使鈍化能力降低甚至消失，而奧氏體晶粒本身仍有足夠的鈍化(耐腐蝕)能力。因此，在腐蝕介質的作用下，晶界附近連接成網狀的鉻貧區會優先溶解，產生晶間腐蝕。

根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導致晶界處銅含量較低。