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晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
晶間腐蝕的特點是當金屬表面沒有損傷時，晶粒間的結合力和金屬的脆響已經喪失。在嚴重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會碎成粉末。
理論上，研制P < = 0.01%，Si<= 0.10%，B<= 0.008%的高純度Cr - Ni奧氏體不銹鋼是解決非敏化晶間腐蝕的最根本措施。
長期以來，采用含有穩定元素Ti和Nb的Cr - Ni奧氏體不銹鋼，如1Cr18Ni9Ti、0cr18ni11ti、1cr18ni12mo2ti、1cr18ni12mo3ti、1cr18ni11nb、0cr18ni11nb等，防止晶間敏化腐蝕，取得了滿意的效果。Ti和Nb的作用主要是與鋼中的過飽和碳形成穩定的tic、NBC等碳化物，以防止或減少Cr23C6碳化鉻的形成。
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